La memoria de acceso aleatorio magnetoeléctrica (MeRAM) tiene una eficiencia energética hasta 1.000 veces mayor que las de memorias basadas en tecnologías actuales.
Usando voltaje eléctrico en vez de un flujo de corriente eléctrica, unos investigadores han hecho grandes mejoras a una clase de memoria de ordenador ultrarrápida y de gran capacidad conocida como memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva, o MRAM.
Esta memoria mejorada tiene un gran potencial para ser usada en futuros chips de memoria para casi cualquier aplicación electrónica, incluyendo smartphones (teléfonos inteligentes), tabletas, ordenadores y microprocesadores en general, así como para el almacenamiento de datos, como los discos de estado sólido usados en ordenadores y en grandes centros de procesamiento de datos.
La ventaja clave de la RAM magnetoeléctrica sobre las tecnologías existentes es que combina un consumo de energía muy bajo con una densidad muy alta, elevadas velocidades de lectura y escritura, y todo ello sin ser volátil, es decir que tiene la capacidad de conservar los datos aunque no se le aplique energía, algo que equipara la RAM magnetoeléctrica a las unidades de disco duro y de memoria flash, salvo que la RAM magnetoeléctrica es mucho más rápida.
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